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三十萬級凈化工程，化妝品廠凈化，食品廠凈化，凈化工程公司
| 產品型號： |
10000 |
| 品 牌： |
新魅 |
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| 所 在 地： |
廣東廣州番禺區 |
| 更新日期： |
2025-07-29 |
| | 加工定制：是 | | 品牌：新魅 | | 型號：10000 | |
| | 殺有害菌率：99 % | | 除塵率：99.9995 % | | 廢氣凈化率：99 % | |
| | 凈化級別：10000 | | 適用面積：10000 ㎡ | | 殺霉菌率：99 % | |
| | 負離子濃度：100 個/m3 | | 適用面積：10000 ㎡ | | 殺霉菌率：99 % | |
潔凈室中的溫濕度控制
潔凈空間的溫濕度主要是根據工藝要求來確定，但在滿足工藝要求的條件下，應考慮到人的舒適度感。隨著空氣潔凈度要求的提高，出現了工藝對溫濕度的要求也越來越嚴的趨勢。具體工藝對溫度的要求以后還要列舉，但作為總的原則看，由于加工精度越來越精細，所以對溫度波動范圍的要求越來越小。例如在大規模集成電路生產的光刻曝光工藝中，作為掩膜板材料的玻璃與硅片的熱膨脹系數的差要求越來越小。直徑100 um的硅片，溫度上升1度，就引起了0.24um線性膨脹，所以必須有±0.1度的恒溫，同時要求濕度值一般較低，因為人出汗以后，對產品將有污染，特別是怕鈉的半導體車間，這種車間溫度不宜超過25度，濕度過高產生的問題更多。相對濕度超過55%時，冷卻水管壁上會結露，如果發生在精密裝置或電路中，就會引起各種事故。相對濕度在50%時易生銹。此外，濕度太高時將通過空氣中的水分子把硅片表面粘著的灰塵化學吸附在表面難以清除。相對濕度越高,粘附的越難去掉，但當相對濕度低于30%時，又由于靜電力的作用使粒子也容易吸附于表面，同時大量半導體器件容易發生擊穿。對于硅片生產***佳濕度范圍為35—45%。
氣壓規定
對于大部分潔凈空間，為了防止外界污染侵入，需要保持內部的壓力（靜壓）高于外部的壓力（靜壓）。壓力差的維持一般應符合以下原則：
1．潔凈空間的壓力要高于非潔凈空間的壓力。
2.潔凈度級別高的空間的壓力要高于相鄰的潔凈度級別低的空間的壓力。
壓力差的維持依靠新風量，這個新風量要能補償在這一壓力差下從縫隙漏泄掉的風量。所以壓力差的物理意義就是漏泄（或滲透）風量通過潔凈室的各種縫隙時的阻力。
潔凈室中的氣流速度規定
這里要討論的氣流速度是指潔凈室內的氣流速度，在其他潔凈空間中的氣流速度在討論具體設備時再說明。
對于亂流潔凈室 由于主主要靠空氣的稀釋作用來減輕室內污染的程度，所以主要用換氣次數這一概念，而不直接用速度的概念，不過對室內氣流速度也有如下要求；
(1)送風口出口氣流速度不宜太大，和單純空調房間相比，要求速度衰減更快，擴散角度更大。
(2)吹過水平面的氣流速度（例如側送時回流速度）不宜太大，以免吹起表面微粒重返氣流，而造成再污染，這一速度一般不宜大干0.2m/s。
對于平行流潔凈室《習慣上稱層流潔凈室），由于主要靠氣流的“活塞打擠壓作用排除行染，所以截面上的速度就是非常重要的指標。過去都參考美國20gB標準，采用0.45m/s．但人們也都了解到這樣大速度所需要的通風量是*的，為了節能，也都在探求降低風速的可行性。
在我國，《空氣潔凈技術措施》和(潔凈廠房設計規范）都是這樣規定的
垂直平行流（層流）潔凈室≥0.25m/s
水平平行流（層流）潔凈室≥0.35 m/s
